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更多>>CTS的新型小封装的416系列,具有高精度高灵活性能416F50033AKR
来源:http://www.dgkjly.com 作者:lzf 2022年06月27
石英的压电特性是由雅克·居里和皮埃尔·居里在1880年发现的。第一台石英晶体振荡器由Walter G. Cady在1921年建造。1923年,戴伊在国家英国物理实验室和贝尔电话实验室的Warren Marrison用石英振荡器制作了一系列精确时间信号。
石英板在受到电的作用时表现出机械运动或应变电荷和相反,它们在受到载荷时显示出不同的电位到机械应力。这种电应力和机械运动之间的关系被称为压电效应。
压电谐振器的机械振动有四种基本模式。
压电谐振器的机械振动有四种基本模式。
1. 挠曲模式
2. 剪切模式
3.纵向模式
4. 扭转模式。CTS的新型小封装的416系列,具有高精度高灵活性能416F50033AKR
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削减在水晶石英的压电特性是由雅克·居里和皮埃尔·居里在1880年发现的。第一台石英晶体振荡器由Walter G. Cady在1921年建造。1923年,戴伊在国家英国物理实验室和贝尔电话实验室的Warren Marrison用石英振荡器制作了一系列精确时间信号。最常见的水晶设计之一是AT切割水晶和将是整个应用程序注意引用水晶类型。对于1MHz以上的频率,通常只采用厚度剪切振动模式。确定了AT切割晶体的频率根据晶体的厚度,即晶体越薄,频率越高。振动质量晶体等效于串联运动电感L1.
晶体的机械损耗表现为等效串联电阻R1,晶体的机械弹性相当于串联电容器C1.
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C0是与支架相关的并联电容还有电极电容。AT切割晶体具有良好的稳定性与温度特性,这是它们受欢迎的原因之一。
除非另有说明,AT Cut晶体将以基本模式运行。然而,任何AT晶体都有可能在其中工作的泛音或奇数倍基本模式。这意味着一个10MHz基本晶体将在10MHz,在30MHz[3泛音],在50MHz[5泛音],等等。overtone的用法[奇谐波]
允许高频操作同时保持更厚的石英晶片。
石英晶体的等效电路如下所示。可以指定每个组件来帮助描述设备的独特属性。在定义石英晶体的规格时,应检查等效电路的各个参数。对于所有的设计,都有每种水晶设计的限制。
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416F50013CKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50013CLR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50013CSR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50013CTR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XAAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XADR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XAKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XALR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XASR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XATR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XCAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XCDR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XCKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XCLR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XCSR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F5001XCTR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50022AAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50022ADR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50022AKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50022ALR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50022ASR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F50022ATR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
L1晶体的运动电感是由运动石英的机械质量决定的。较低的频率[较厚和较大的石英晶圆]往往运行在几个亨利高频率(更薄、更小的石英晶圆)往往以几毫亨利的速度运行。L1与C1由下式定义。最好有客户指定C1[如果需要],然后指定L1可以计算。
C1移动电容由石英的刚度决定(它是恒定的)晶体表面的金属化面积[电极尺寸]以及晶体的厚度和形状晶片。在较低的频率下,晶圆片必须被塑造[轮廓或斜面]以提高性能。这会降低C1的设备。基模晶体的C1是可变的从大约0.005pF到0.030pF。一般来说,如果一个基本设计被用于泛音,C1除以泛音的平方。[第三泛音是基本音的1/9]
416F500X2CAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X2CDR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X2CKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X2CLR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X2CSR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X2CTR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3AAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3ADR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3AKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3ALR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3ASR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3ATR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3CAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3CDR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3CKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3CLR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3CSR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500X3CTR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXAAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXADR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXAKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXALR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXASR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXATR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXCAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXCDR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXCKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXCLR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXCSR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F500XXCTR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 50MHz |
416F52011AAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011ADR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011AKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
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416F52011ASR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
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416F52011CAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011CDR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011CKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011CLR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011CSR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52011CTR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012AAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012ADR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012AKR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012ALR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012ASR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012ATR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
416F52012CAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
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416F52013AAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
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416F5201XAAR | CTS晶振 | 416 | MHz Crystal | 52MHz |
R1:运动电阻是石英晶体等效电路的电阻元件。这种阻力表示晶体在固有谐振频率[串联谐振]下的等效阻抗。对于给定的晶体Q和串联谐振频率,运动电阻与晶体的活性区域活性面积与电极面积大致相同。因此晶体越小,R1越大. 在实践中,小晶体的Q没有大晶体高的人。降低的Q也有助于更高的R1. 如果电路没有调整以适应R1越高,这可能会导致振荡器启动问题。
晶体的并联电容部分是由于晶圆的厚度。这是不振动时的测量电容。并联电容范围为1 ~ 7pf。这不是典型的由于与振荡器电路兼容,超过7pF。
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