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    ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振

  • 规格型号:46741116
  • 频率:32.768KHZ
  • 尺寸:1.6*1.0mm
  • PDF
  • 产品描述:ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振,ILSIAmerica成立于1987年,总部位于加州科斯塔梅萨。当时的商业模式很简单,成为晶体和时钟振荡器的供应商,以支持北美频率控制市场。在随后的29年中,随着全球频率控...

   ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振, ILSI America成立于1987年,总部位于加州科斯塔梅萨。当时的商业模式很简单,成为晶体和时钟振荡器的供应商,以支持北美频率控制市场。
在随后的29年中,随着全球频率控制产品市场需求呈指数级增长和全球化,ILSI通过有机增长和收购应对不断变化的市场和客户群。
    1995年,ILSI晶振北京中国办事处开业。1998年,ILSI美国公司搬迁到它现在的位置,这是一个位于内华达州里诺的10,000平方英尺的世界总部。1999年,ILSI香港中海物流中心开业。2007年ILSI韩国办事处的开业完成了我们在美国和亚洲提供真正实体店的目标,这些实体由直接员工提供,以支持我们在北美,墨西哥,亚洲和欧洲快速增长的客户群。
LISI CRYSTAL又名艾尔西晶振,是美国一家专业生产制作时钟振荡器的供应商.ILSI晶振美国公司成立于1987年,总部位于加州科某件塔梅萨.
拥有一流的生产技术,先进的高端仪器设备,致力于研发生产贴片晶振,有源晶振产品以及不断增长收购企业.ILSI Crystal发展至今在加拿大.ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.
 ILSI晶振规格 单位 IL3W晶振频率范围 石英晶振基本条件
标准频率 f_nom 32.768KHZ 标准频率
储存温度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作温度 T_use -40°C ~ +85°C 标准温度
激励功率 DL 0.5µW Max. 推荐:1μW ~ 100μW
频率公差 f_— l ±20 × 10-6 (最大)
 
+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.dgkjly.com/
频率温度特征 f_tem ±20 × 10-6   超出标准的规格请联系我们.
负载电容 CL 7pF,9pF,12.5pF(请参阅下面的表), 不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

    存储事项
    (1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
    正常温度和湿度:
    温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
    (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
    安装时注意事项
    耐焊性
    加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的石英晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
   (1)柱面式产品和DIP产品
    型号 焊接条件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
    请勿加热封装材料超过+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    请勿加热封装材料超过+150°C
    (2)SMD晶振产品回流焊接条件(实例)
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
    尽可能使温度变化曲线保持平滑。ILSI晶振,IL3W晶振,IL3W-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.


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