规格型号：85838708
频率：0.75~75.0MHz,0.75~75.0MHz,1.0~60.0MHz
尺寸：2.5*2.0mm
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产品描述：新松晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体...

新松晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
SHINSUNG晶振公司的发展如下：
1990年的Aug.1999成立Shinsung SAW Electronics Co.

1999年12月开始生产晶体和振荡器（osc，vcxo）

1999年12月开始制造TCXO
2000年1月完成高频VCXO （100MHz以上）的开发
Mar.2001开始开发SMD OSC和Crystal
Jul.2002Jul.2002完成了可编程振荡器的开发
Jul.2002开始批量生产可编程振荡器
Jun.2005SMD生产线产能扩张和楼宇自动化
2006年8月开始批量生产SMD OSC和X-Tal（7050,5032尺寸）
2007年2月完成SMD VCXO（7050,5032尺寸）的开发
Aug.2009完成SMD Crystal（3225尺寸）的开发
2009年12月成SMD VCTCXO（5032尺寸）的开发,开始批量生产SMD VCXO（7050,5032尺寸）
2010年1月完成SMD振荡器（3225尺寸）的开发,开始批量生产SMD水晶（3225尺寸）
2010年2月完成SMD LVPECL振荡器,（7050尺寸）的开发.
2010年3月在800MHz频段,（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL OSC的开发.
2010年4月在800MHz频段（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL VCXO的开发,开始批量生产SMD振荡器（3225尺寸）,开始批量生产SMD LVPECL振荡器（7050尺寸）
2011年2月完成SMD VCTCXO（3225尺寸）的开发
AUG.2011开始生产SMD VCTCXO（3225尺寸）
Mar.2012成立附属研究所。
SHINSUNG晶振公司主旨:以顾客为中心,基于价值的管理,人类和谐的价值;我们认为我们的客户是合作伙伴,并努力满足并超越他们对质量,客户服务和价值的评价,在生产石英晶体振荡器方面出色,是其他公司难以对比.新松晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振.

type		3.3V	2.5V	1.8V	REMARKS
frequency range		0.75 ~ 75.0MHz	0.75 ~ 75.0MHz	1.0 ~ 60.0MHz
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage V DD		3.3V ± 10%	2.5V ± 5%	1.8V ± 5%
input current (15pF load)	1.0 ~ 20.0MHz	7 mA max	5 mA max	2 mA max
	20.1 ~ 40.0MHz	13 mA max	9 mA max	3.5 mA max
	40.1 ~ 60.0MHz	19 mA max	11 mA max	6 mA max
	60.1 ~ 75.0MHz	24 mA max	14 mA max
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
phase jitter 12kHz ~ 20MHz		< 1.0ps RMS
output	load	15pF max (HCMOS)
	logic level	low 10% Vcc max / high 90% Vcc min
	symmetry	55/45 @ 50% V DD
	rise / fall time	10 nS MAX / 10% VDD to 90% level
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

机械振动的影响

当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.新松晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振.

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