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更多>>- 规格型号:16559570
- 频率:13.5~400MHZ
- 尺寸:5.0*7.0mm
- 产品描述:SMI晶振,57SMO晶振,晶体时钟振荡器,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖...
SMI晶振,57SMO晶振,晶体时钟振荡器
SMI晶振,57SMO晶振,晶体时钟振荡器,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
SMI是Crystal Technology的新兴领导者。
我们积极为电子社会做出贡献,在稳步的研究和努力的基础上,快速开发先进的水晶产品。
我们专注于最新的SMD版本的晶体单元,时钟OSC,TCXO,VCXO,OCXO和MCF。并提供高质量和高稳定性的产品,支持高可靠性数据,频率范围从16.000kHz(低)到350.000MHz(高),严格的质量控制和严格的运输检查。
SMI晶振是日本有名的频率元件制造商,主要研发生产石英晶体,有源晶体振荡器等.SMI Crystal拥有先进的生产设备以及完善的服务体系,获得广大用户一直好评. 并吸引众多对SMI晶振感兴趣的客户前来采购,SMI晶振公司所制作出来的晶振有保障,性能优越,价格合理,服务一流.
多年来SMI晶振公司独自开发了多款受市场欢迎的SIM石英晶振型号,而且用途性广,为各行各业的发展做出了一定的贡献,被更多业界人士知晓SMI晶振的魅力,并占据一定的位置,一直致力于研发生产更多优质的有源晶振,小型晶振,石英晶体振荡器等产品.SMI晶振,57SMO晶振,晶体时钟振荡器.
SMI是Crystal Technology的新兴领导者。
我们积极为电子社会做出贡献,在稳步的研究和努力的基础上,快速开发先进的水晶产品。
我们专注于最新的SMD版本的晶体单元,时钟OSC,TCXO,VCXO,OCXO和MCF。并提供高质量和高稳定性的产品,支持高可靠性数据,频率范围从16.000kHz(低)到350.000MHz(高),严格的质量控制和严格的运输检查。
SMI晶振是日本有名的频率元件制造商,主要研发生产石英晶体,有源晶体振荡器等.SMI Crystal拥有先进的生产设备以及完善的服务体系,获得广大用户一直好评. 并吸引众多对SMI晶振感兴趣的客户前来采购,SMI晶振公司所制作出来的晶振有保障,性能优越,价格合理,服务一流.
多年来SMI晶振公司独自开发了多款受市场欢迎的SIM石英晶振型号,而且用途性广,为各行各业的发展做出了一定的贡献,被更多业界人士知晓SMI晶振的魅力,并占据一定的位置,一直致力于研发生产更多优质的有源晶振,小型晶振,石英晶体振荡器等产品.SMI晶振,57SMO晶振,晶体时钟振荡器.
Item | Specifi cations | ||
General part number | 57SMO* 1 | ||
Frequency range | 13.500 MHz to 400.000 MHz | ||
Frequency stability (over all conditions) |
57SMO(A): ±100 ppm over -20゜C to +70゜C 57SMO(B): ±50 ppm over -20゜C to +70゜C 57SMO(C): ±30 ppm over -20゜C to +70゜C 57SMO(D): ±25 ppm over -20゜C to +70゜C 57SMO(E): ±20 ppm over -20゜C to +70゜C 57SMO(AW): ±100 ppm over -40゜C to +85゜C 57SMO(BW): ±50 ppm over -40゜C to +85゜C 57SMO(CW): ±30 ppm over -40゜C to +85゜C 57SMO(DW): ±25 ppm over -40゜C to +85゜C |
||
Operating Conditions | Operating temperature |
-20゜C to +70゜C(Standard) -40゜C to +85゜C(W = Option) -40゜C to +105゜C(WW = Option) |
|
Supply voltage (V DD ) | +2.5V DC ±5% | +3.3V DC ±5% | |
Stand-by control voltage (Pin#1) |
V IH : 70% V DD min. V IL : 30% V DD max.* |
||
Absolute Max. Ratings | Supply voltage | -0.5V to +5.0V DC | |
Storage temeperature | -50゜C to +125゜C | ||
Input current (Pin#1 = Open or V IH ) | 88 mA max. (55mA, Typical) | ||
Stand-by current* 2 (Pin#1 = V IL ) | 30 μA max. | ||
Output (-40゜C to +85゜C) |
Symmetry (at crossing point) |
45% to 55% ( 13.500 MHz to 350.000 MHz) 40% to 60% (350.000 MHz to 400.000 MHz) |
|
Rise and fall times (20% to 80% of amplitude) |
0.7 ns max. (0.3 ns, Typical) | ||
0 Level | V OL : +0.67V to +1.195V | V OL : +1.47V to +1.745V | |
1 Level | V OH : +1.415V to +1.760V | V OH : +2.215V to +2.42V | |
Load | 50 Ω into V DD -2V | ||
Start-up time | 10 ms max. | ||
SSB phase noise (at V DD = +3.3V & 155.520 MHz) |
-147 dBc / Hz, Typical at 100 kHz offset | ||
RMS jitter (12 kHz to 20.000 MHz band) (at V DD = +3.3V & 155.520 MHz) |
0.5 ps max. | ||
Disable delay time | 200 ns max. | ||
Enable delay time | 2 ms max. | ||
Differential output voltage | 0.4Vp-p min. | ||
Aging | ±5 ppm max. at +25゜C ±3゜C for fi rst year | ||
Refl ow condition |
+250゜C ±10゜C for 10 seconds +170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating) |
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
机械振动的影响
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).SMI晶振,57SMO晶振,晶体时钟振荡器.
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