规格型号：13885790
频率：1~125MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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产品描述：SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流...

SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

Sitime晶振是美国知名频率元件研发制造商,致力于生产Sitime硅晶振,Sitime可编程晶振,具有更高性能,更低漂移,更小的尺寸以及高可靠性等特点.
SiTime 提供全面的福利计划，使我们的团队能够繁荣发展并释放他们的全部潜力——因为我们知道健康和财务状况对于我们的员工茁壮成长至关重要.
自从文明诞生以来，人类就明白时间的重要性。时机创造了可以决定成功或失败的机会和优势。了解为何准确计时在当今的电子产品中至关重要，以及 SiTime 如何改变计时行业。我们正在重新定义未来几十年的可能性。帮助我们赋能下一代创新者。
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SiTime Crystal是MegaChips公司的独立子公司,主要以生产高精度石英晶体振荡器,可编程晶体振荡器,MEMS晶振等器件为主.SiTime晶振主要以生产MEMS晶振,VCXO晶振等频率元件.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.

Ab solute Maximum Table
Parameter		Min.	Max.	Unit
Storage Temperature		-65	150	°C
VDD		-0.5	+3.65	V
Electrostatic Discharge			6000	V
Theta JA ( with copper plane on VDD and GND)		–	75	°C/W
Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins)		–	24	°C/W
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)			260	°C
Number of Program Writes			1	NA
Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V)			1,000+	years
Operating Conditions
Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit
Supply Voltages, VDD [1]	2.97	3.3	3.63	V
	2.25	2.5	2.75	V
	1.7	1.8	1.9	V
Automotive OperatingTemperature	-40	–	125	°C
Maximum Load Capacitance [2]	–	–	15	pF
VDD Ramp Time	0	–	200	ms

耐焊性:

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

机械振动的影响

当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.

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