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- 规格型号：60504198
- 频率：9.6~52.0MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm详细内容请浏览PDF文档
- 产品描述：2520有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接...
DSB221SCL振荡子,KDS晶振型号,温补振荡器TCXO
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DSB221SCL振荡子,KDS晶振型号,温补振荡器TCXO,频率范围13.0MHZ~52.0MHZ,精度值可达0.5PPM,电源电压1.7V~3.5V供选择,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.
| 规格参数 | DSB221SCL |
| 频率范围 | 13.0~52.0MHZ |
| 电源电压 | 1.7~3.5V |
| 负载电容 | 10pF |
| 温度特征 |
±0.5×10-6 max /-30~+85℃ ±0.5×10-6 max /-40~+85℃ (Option) |
| 消费电流 |
+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f＞26MHZ) |
| 负荷变动特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF±10%) |
| 电源电压特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc±5%) |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起动时间 | 2.0ms max |
＜晶体谐振器＞
如果过大的激励电力对晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.
让谐振器振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍以上.
＜晶体振荡器＞
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑.
有些晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器（陶瓷片状电容器等）以 最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.
＜晶体滤波器＞
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近.
如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路.
如果过大的激励电力对晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在晶体滤波器的输入电平在10dBm以下的状态下使用.
＜光学产品＞
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理,因此包装开封以后,请在进行清洁度管理的环境中使用.
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大真空针对晶体产品中所含的以铅为首的六价铬、汞、镉、PBB、PBD等RoHS指令(Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances)及车载相关管制的ELV(End of Life Vehicles Directive)中列明的管制物质、以及阻燃剂中 使用的卤素化合物,积极开展削减工作,并准备了RoHS/ELV指令对应产品、无卤产品以及无铅产品.
高温焊锡和DSX-G系列的低熔点玻璃中所含的铅以及DSO/DSV753H系列、DSV753C系列、DLC117中使用的片状电阻中所含的铅不属于RoHS指令(Directive of the Restriction of the use of the Hazardous Substances)以及ELV指令(End of Life Vehicles Directive)的适用范围,被允许使用.
高温焊锡和DSX-G系列的低熔点玻璃中所含的铅以及DSO/DSV753H系列、DSV753C系列、DLC117中使用的片状电阻中所含的铅不属于RoHS指令(Directive of the Restriction of the use of the Hazardous Substances)以及ELV指令(End of Life Vehicles Directive)的适用范围,被允许使用.
为了应对商业环境的变化,我们努力摆脱传统业务风格和转向利润价值管理.我们会继续加强我们产品的选择和集中,,我们将努力提高我们公司的价值.
石英装置市场有望进一步扩大,电信、数字家庭电器和汽车电子.大真空集团利用领先的技术积累和技术因素,为了满足更大的复杂性和将它们连接到产品差异化.
此外,通过获得优势与量子色(质量成本交付)作为生产战略和销售策略追求的需要,我们的目标是为CS(顾客满意度)和“KDS”品牌吸引力.我们将阐明域身份和集中管理资源.此外,随着集成技术,生产和销售,我们将努力业务开发和有效的管理.
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