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- 规格型号：46261097
- 频率：9.6~40MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm详细内容请浏览PDF文档
- 产品描述：有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无...
KDS贴片温补晶振,DSB221SDB晶振,通讯产品2520晶振
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KDS贴片温补晶振,DSB221SDB晶振,通讯产品2520晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,DSB221SDB温补振荡器,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
| 规格参数 | DSB221SDB |
| 频率范围 | 9.6~40.0MHZ |
| 电源电压 | +1.7V~+3.5V |
| 负载电容 | 10pF |
| 存储温度 | -40~+85℃ |
| 工作温度 | -10~+70℃/-30~+85℃ |
| 温度特征 |
±2.5×10-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10-6 max /-30~+85℃ (Option) |
| 消费电流 | 2.9mA max [No Load] |
| 对称性 | 45~55% [50% Vcc Level] |
| 输出电压 | Vcc×0.1 max / Vcc×0.9 min |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 相位抖动 | 1.5ps max (fo offset : 12KHz~5MHz) |
| 起动时间 | 2.0ms max |
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激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率.
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容.
近来由于污染排放总量管制受到应有重视,各种污染减量与管理机制的议题已陆续成为主管机关与企业间执行污染防制的重点,而大真空电子本身由于受到环保机关污染总量管制,污染物排放量有一定的承诺限值,加上各类相关环保议题的要求,亦订定与规划相关减量目标,全力保护有限的地球资源与环境.有鉴于环保意识抬头,大真空电子多年来在环保工作上持续努力,期望藉由环境管理、自发且持续的改善,达到改善环境、减少环境冲击的实质目的.本公司于2002年6月开始推行ISO 14001环境管理系统,持续改善整体环境并有助提高经营绩效,同时强化内外销竞争力与提升公司形象.我们承诺将会持续维护ISO 14001环境管何可能污染环境的因素,善尽社会责任.
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