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    富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手机晶体振荡器

  • 规格型号:56579312
  • 频率:25M-250MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2mm
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  • 产品描述:智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准...
      富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手机晶体振荡器,有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内
      5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
10月
参展晶振东京商务峰会。
开始销售led灯。
12月
开始销售高压薄膜电容器。
2011年12月
高电压薄膜电容器lcr产品引进。
2012年7月
东芝产半导体开始销售富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手机晶体振荡器。
2013年1月
软件委托开发开始。
5月
晶振厂家总公司新办公室改建迁移。
10月
shoprider的电动汽车开始销售。
2014年7月
小规模事业者可持续发展补助金。
石英晶振规格 单位  FPO-500     5.0*3.2mm  晶振说明 进口振荡器基本条件
额定频率范围 f_nom 25M-250MHZ 晶振标准频率
储存温度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作温度 T_use -10°C ~ +70°C 标准温度
电源电压 SV 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V  
频率公差 f_— l ±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用)
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息.
频率温度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出标准的规格请联系我们.
负载电容 CL 15pF 超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 


7-1:机械振动的影响
石英晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
7-2:PCB设计指导
(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于贴片晶振器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 进口晶振在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手机晶体振荡器
     有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:5032封装差分晶振,有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有差分晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手机晶体振荡器
     贴片晶振晶片边缘处理技术:SMD压控晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

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