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    富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶体谐振器

  • 规格型号:15858123
  • 频率:3.579M-85MHZ
  • 尺寸:11.5*4.65mm
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  • 产品描述:插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境...
       富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶体谐振器,引线型压电石英晶体采用全新自动生产设备,严格的对每颗晶体各项参数指标检测把关,比如电阻的测量技术:引进一批先进的检测仪器,准确度达到±1ppm(国标标准)。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。如下方面都会对测量结果带来影响引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频点,.高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻.常用负载电容,49/S石英晶振,因插件型镜头成本更低和更高的批量生产能力.主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.。
1994年3月
为了扩充石英晶振水晶设备的销售机型,
该公司将与韩国sunny electronics公司、山梨的无线电波股份公司、株山公司签订合同。
1998年4月
为了提高质量,还导入了网络分析仪和其他检查器。
1998年11月
美国transkelectronics。缔结进货销售合同。
2000年7月
台湾yangtec electronics corp。与富士com品牌的销售合同。
2001年1月
“水晶震动”自动检测装置富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶体谐振器。
2005年8月
传输法无源晶体水晶振荡器自动检查装置。
2008年6月
韩国将在国内销售kec和kec制的半导体。

石英晶振参数 单位 HC49US  11.5*4.65mm晶振
标准频率范围 f_nom 3.579M-85MHZ
储存温度 T_stg -40°C ~+85°C
工作温度 T_use -20°C ~+70°C
激励功率 DL 100μW 
精度 f_— l ±30 ppm
拐点温度 Ti +25°C ±5°C
负载电容 CL 12-20pF
串联电阻(ESR) R1 80kΩ Max
 


激励功率
石英晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
进口晶振除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶体谐振器。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。晶振厂家试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
      石英插件晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。
      石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英压电晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。49S晶振系列使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内富士通晶振,石英晶振,HC-49US晶振,石英晶体谐振器。

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