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来源:http://dgkjly.com 作者:帝国科技 2024年04月12
SiTime Endura低功耗SiT5543专用于国防领域
SiTime Endura超级TCXO为航空航天和国防领域提供了100倍的系统可靠性
亮点:
●与OCXOs相比,基于MEMS的SiT5543超级TCXO晶振的可靠性提高100倍,功耗降低2倍,尺寸缩小40%,稳定性比传统tcxo提高20倍
●支持更快、低延迟的数据传输,并降低动态环境中的误码率
●无需昂贵、笨重的定制OCXOs,OCXOs对加速度、冲击和振动高度敏感
SiTime公司今天推出了经现场验证的Endura MEMS加固型超级TCXO温补晶振系列的新成员SiT5543。这款温控振荡器重新定义了航空航天和国防系统的TCXO格局,在充满挑战的环境中具有无与伦比的稳定性。SiTime新的加固型SiT5543超级TCXO在-40°C至95°C的温度范围内提供前所未有的5ppb频率稳定性,即使在快速温度瞬变和振动情况下也是如此。SiT5543的稳定性比现有的公开市场石英TCXOs提高了20倍,后者无法提供优于100ppb的稳定性。
在SiTime晶振的Super-TCXOs问世之前,设计人员必须使用恒温控制晶体振荡器(OCXOs)才能在航空航天和国防系统中实现5 ppb的稳定性。然而,石英基OCXOs有几个缺点。众所周知,它们昂贵、笨重、脆弱且耗电。SiT5543克服了这些挑战,并为加固系统的设计人员提供了与传统OXCOs的温度稳定性相当的更好选择。与石英ocxo相比,SiT5543的可靠性高100倍、功耗低2倍、尺寸小40%,是高速数据通信、军事网络、电子系统和航空电子等苛刻应用中ocxo的理想替代品。
SiT5543系列超级TCXO显著降低了误码率、系统尺寸和功耗,同时增强了在恶劣工作条件下的可靠性和操作性能。这款基于MEMS的超级TCXO的技术规格使安全的时序相关加密技术达到了一个新的水平,可以保护军用无线电、GPS接收机、导航和制导系统免受干扰。这种新型Endura超级TCXO提供了构成当今航空航天和国防系统主干的高速网络所需的温度和振动稳定性。SiT5543在满足苛刻的操作要求方面降低了风险、周期时间和成本,这是由于MEMS技术比传统石英替代品具有更高的鲁棒性。
SiT5443超级TCXO晶振由于其7mmx5mm的小表面贴装尺寸贴片晶振、低功耗要求和减轻恶劣工作条件影响的独特能力,降低了设计成本和复杂性。由于它是工厂可编程的,支持1至60MHz的输出频率,因此消除了定制振荡器的高成本、风险和延迟。SiT5543可与I2C数字控制一起用于动态频率调谐或高级用户定义补偿。数字控制提供对噪声不敏感的频率调节和平滑的频率偏移。
SiT5543 MEMS超级TCXO采用世界一流的半导体工艺制造,具有统计过程控制和6-sigma规格限制,以确保每个设备开箱即可可靠运行,并满足实验室和真实操作条件下的规格要求。
SiTime Endura低功耗SiT5543专用于国防领域
SiTime Endura低功耗SiT5543专用于国防领域
Endura SiT5543超级TCXO集锦
●1至60MHz可编程输出频率
●-40°C至+95°C温度范围内的稳定性为5ppb
●0.3ppb/°C温度斜率稳定性
●0.01ppb/g加速度灵敏度
●每日老化0.5ppb/天
●20年老化率低至150ppb,无需系统级老化补偿
●2秒钟达到温度范围内的最终稳定性
●带I2C的可选3200ppm数字控制
●20.000g抗冲击能力
●典型值110mW。2.5V电源下的功耗
●2.5至3.3V电源 有源晶振
●7.0毫米x 5.0毫米陶瓷表贴封装
SiTime公司是一家精确计时公司。我们的可编程解决方案提供丰富的功能集,使客户能够以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性来区分其产品。随着超过30亿台设备的出货,SiTime正在改变计时行业。
Device | Frequency | Stability(ppm) | Output Type | Package Size(mm) |
SiT5155 | 12 standard frequencies | ±0.5 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5156 | 1 to 60 MHz | ±0.5±1±2.5 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5157 | 60 to 220 MHz | ±0.5±1±2.5 | LVCMOS | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5356 | 1 to 60 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5357 | 60 to 220 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOS | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5358 | 1 to 60 MHz | ±0.05 | LVCMOSClipped sinewave | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5359 | 60 to 220 MHz | ±0.05 (±50 ppb) | LVCMOS | 5.0 x 3.2 10-pin |
SiT5376 | 1 to 60 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOSClipped Sinewave | 5.0 x 3.5 10-pin |
SiT5377 | 60 to 220 MHz | ±0.1±0.2±0.25 | LVCMOS | 5.0 x 3.5 10-pin |
SiT5501 | 1 to 60 MHz | ±0.01 (±10 ppb)±0.02 (±20 ppb) | LVCMOSClipped sinewave | 7.0 x 5.0 10-pin |
SiT5503 | 1 to 60 MHz | ±0.005 (±5 ppb) | LVCMOSClipped sinewave | 7.0 x 5.0 10-pin |
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此文关键字: 低功耗晶振
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