规格型号：98534615
频率：1.75M-161MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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产品描述：有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 μA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无...

百利通亚陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振荡器 产品聚焦于高成长终端用户设备市场，晶振例如电视/卫星机顶盒、可携式 DVD 播放器、数据通讯设备、ADSL 调制解调器、电源供应器、医疗装置 (非维生装置/系统)、个人计算机与笔记本电脑、平面显示器、数字相机、手机、AC-DC 与 DC-DC 转换器、无线 802.11 LAN 存取点、无刷直流马达风扇、序列连接及汽车应用。

Double Data Rate (DDR) 同步动态随机存取内存是用于计算机的内存等级。 Diodes 石英晶体振荡器可为高可用性通讯与网络设备（包括服务器、RAID 储存装置、工作站与删除重复数据设备）以及医疗装置与其他嵌入式系统的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供频率及切换组件。

石英晶振规格	单位	HX251 2520mm晶振说明	进口振荡器基本条件
额定频率范围	f_nom	1.75M-161MHZ	晶振标准频率
储存温度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
电源电压	SV	2.5V 1.8V 3.3V
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息.
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	10pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻（ESR）	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

激励功率
在石英晶体单元上施加过多驱动力，百利通亚陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振荡器会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，石英晶振可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

百利通亚陶晶振集团保持就健康安全环境问题与临近摄取进行对话.通过在环境控制方面实施优秀的管理实践,以保护环境和全球运作相关的自然资源.向员工灌输环境价值观,在所有的贴片晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器产品和生产过程中应用最佳环境实用技术,为全球可持续发展做出贡献.
百利通亚陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振荡器我们将依据技术进步以及对安全、健康和环境科学全新的解释持续地改进我们的业务.
我们将追求在资源利用上的零废物率.压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体原材料将得到循环和再利用以最大限度地减少对其处理量,同时节约资源.在废物的滋生地,废物将被安全、负责地处理掉.

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