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- 规格型号：94169973
- 频率：19.2MHz
- 尺寸：2016mm
- 产品描述：X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,台产加高晶振,6G室外基站晶振，台湾HELE晶振公司，加高晶振，SMD晶振，小尺寸晶振，2016晶振，高品质晶振，低损耗晶振，高精度晶振，贴片晶振，石英晶体，无源晶振，四脚晶振，无人机晶振，北...
X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,台产加高晶振,6G室外基站晶振
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X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,台产加高晶振,6G室外基站晶振，台湾HELE晶振公司，加高晶振，SMD晶振，小尺寸晶振，2016晶振，高品质晶振，低损耗晶振，高精度晶振，贴片晶振，石英晶体，无源晶振，四脚晶振，无人机晶振，北斗卫星晶振，电脑主板晶振，智能穿戴设备晶振，医疗设备晶振，特点：微型超薄SMD产品尺寸。高精度、可靠性高，耐热性好。针对射频应用、无线模块设备、RFID应用和其他基于消费者的产品的优化解决方案。
| 标称频率 | 19.2MHz, 26MHz | 38.4MHz | 52MHz |
| 工作模式 | Fundamental | ||
| 频率容差 |
±10ppm , ±15ppm
|
||
| 频率稳定度 | -12~+10ppm | ±12ppm | -12~+10ppm |
| 工作温度范围 |
-30~+85 C
|
||
| 负载电容 | 7pF, 8pF | ||
| 驱动电平 | 10μW (200μW Max.) | ||
| 等效串联电子 | 80Ω Max. | 50Ω Max. | 50Ω Max. |
| 储存温度 |
-40~+105 C
|
||
| 热敏电阻 | 100KΩ | ||
| 热敏电阻B常数 | 4250K | ||
X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,台产加高晶振,6G室外基站晶振
| 原厂编码 | 生产商 | 型号 | 频率 | 频率容差 | 负载电容 |
| X2C025000DZ1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 25 MHz | ±20ppm | 6pF |
| X2C032000BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C024000DZ1H-HU | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±20ppm | 6pF |
| X2C016000B81H-R | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2C026000BC1H-Z | 加高晶振 | HSX211S | 26 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X2C048000L71HH-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±8ppm | 11.1pF |
| X2U026000B81HBZ-DHPZ | 加高晶振 | HSX211SR | 26 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2U019200BZ1H-CEHQZ | 加高晶振 | HSX211SR | 19.2 MHz | ±10ppm | 7pF |
| X2U038400B81H-EPQZ | 加高晶振 | HSX211SR | 38.4 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2C016000B81H-HPU | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±20ppm | 8pF |
| X2C016000B91H-R_C254270 | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000B91H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000BA1H | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C024000FA1H-X | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C024000B71H-V | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 12.5pF |
| X2C026000B91H-V | 加高晶振 | HSX211S | 26 MHz | ±15ppm | 9pF |
| X2C027120FA1H-HV | 加高晶振 | HSX211S | 27.12 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C032000B81H-HS | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±15ppm | 8pF |
| X2C032000BA1HA-U | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±20ppm | 10pF |
| X2C032000BC1H-R | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X2C037400BG1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 37.4 MHz | ±10ppm | 16pF |
| X2C038400BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 38.4 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C040000B91HA-Z | 加高晶振 | HSX211S | 40 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C048000L71H-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±12ppm | 7.8pF |
| X2C048000BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C016000B91H-R | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C016000BC1H-Z | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±20ppm | 12pF |
| X2C024000B71H-V | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 12.5pF |
| X2C024000B91H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000BA1H | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C032000BA1HA-U | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±20ppm | 10pF |
| X2C037400BG1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 37.4 MHz | ±10ppm | 16pF |
| X2C040000B91HA-Z | 加高晶振 | HSX211S | 40 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C048000L71H-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±12ppm | 7.8pF |
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