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帝国博客
更多>>- 规格型号:51977539
- 频率:27MHZ
- 尺寸:1.6*1.2mm
- 产品描述:Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体,日蚀晶振,欧美进口晶振,水晶振动子,SMD晶体,无源晶体,音叉晶体,型号EB1216,编码EB1216JA10-27.000M-TR是一款金属面贴片型的无源晶振,尺寸为1612mm,频率27MHZ,精度1...
Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体
Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体,日蚀晶振,欧美进口晶振,水晶振动子,SMD晶体,无源晶体,音叉晶体,型号EB1216,编码EB1216JA10-27.000M-TR是一款金属面贴片型的无源晶振,尺寸为1612mm,频率27MHZ,精度15ppm,负载10PF,工作温度-40~+85°C,产品具备超高的可靠性能和稳定性能,常常用于物联网计量,工业医疗保健,超小型设备,可穿戴设备,便携式设备等领域.
EB1216YA10-25.000M TR无源晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体
EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体晶振 参数表
日蚀晶振规格 | 单位 | EB1216晶振频率范围 | 石英晶振基本条件 |
标准频率 | f_nom | 27MHZ | 标准频率 |
储存温度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 |
工作温度 | T_use | 40°C ~ +85°C | 标准温度 |
激励功率 | DL | 100μW Max. | 推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 | f_— l | ±15 × 10-6 ,0°C ~ +85°C |
+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.dgkjly.com/ |
频率温度特征 | f_tem | ±30 × 10-6 | 超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 | CL | 10pF ~ ∞ | 超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) | R1 | 150 Ohms | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体 尺寸图
EB1216JA10-27.000M-TR晶振 使用注意事项
EB1216JA10-27.000M-TR晶振 使用注意事项
耐焊性:
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体
PCB设计指导:
(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于石英晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于石英晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
存储事项:
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存金属面晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存金属面晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶体
制造商零件编号 | 供应商 | 系列 | 类型 | 频率 | 频率稳定性 | 频率容差 | 负载电容 |
EB2532YA12-26.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 26 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB2532YA12-28.63636M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 28.63636 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB1216JA10-27.120M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶体 | 27.12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 10pF |
EB1216JA10-27.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶体 | 27 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 10pF |
EB1620YA10-32.000M TR | Ecliptek | EB1620 | MHz 晶体 | 32 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF |
EB1620YA10-27.120M TR | Ecliptek | EB1620 | MHz 晶体 | 27.12 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF |
EB1216YA10-27.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶体 | 27 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF |
EB1216YA10-26.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶体 | 26 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF |
EB1216YA10-25.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶体 | 25 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF |
EA2025JA18-25.000M TR | Ecliptek | EA2025 | MHz 晶体 | 25 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
EA3250MA10-14.7456M TR | Ecliptek | EA3250 | MHz 晶体 | 14.7456 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 10pF |
EB3250JA12-12.000M TR | Ecliptek | EB3250 | MHz 晶体 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB3250JA12-24.000M TR | Ecliptek | EB3250 | MHz 晶体 | 24 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EA3250FA18-25.000M TR | Ecliptek | EA3250 | MHz 晶体 | 25 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 18pF |
E1SFA12-3.6864M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 3.6864 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EA2532LA18-32.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶体 | 32 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
EA2532QA18-16.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶体 | 16 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 18pF |
EA2532LA18-12.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶体 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
EA2532QA18-12.000M TR | Ecliptek | EA2532 | MHz 晶体 | 12 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 18pF |
EB2532JA12-25.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 25 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532JA12-32.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 32 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532JA12-20.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 20 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB1620YA10-27.000M TR | Ecliptek晶振 | EB1620 | MHz 晶体 | 27 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 10pF |
EB2532JA12-24.576M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 24.576 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532JA12-26.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 26 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532JA12-12.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532JA12-12.288M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 12.288 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532JA12-16.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 16 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 12pF |
EB2532YA12-12.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 12 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB2532YA12-30.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 30 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB2532YA12-32.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 32 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB2532YA12-13.560M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 13.56 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB2532YA12-24.576M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 24.576 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB2532YA12-16.000M TR | Ecliptek | EB2532 | MHz 晶体 | 16 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 12pF |
EB1216JA10-24.000M TR | Ecliptek | EB1216 | MHz 晶体 | 24 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 10pF |
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