声表面滤波器的镀膜与光刻

    目的：在晶片表面形成一层金属薄膜(Al)，以便随后刻印图形。
    要求：晶片表面铝层光洁明亮、无发灰、无污点，无气泡，铝层接合牢固，不脱落，铝层表面无划伤，无裂痕，达到要求的铝层厚度。
    磁控溅射是一种较新型的溅射技术，它是建立在二极溅射的基础上，即在阴极的后面设置一永恒磁铁或电磁铁，从而产生一个靠近且平行于靶表面的磁场。此磁场同阴极和阳极间的电场相互垂直，在电场和磁场的共同作用下，电子(主要是二次电子)在磁力线与靶表面所包围的狭小空间作螺旋运动，这就大大提高了电子与溅射气体原子的碰撞机率，从而提高了溅射速率。磁控溅射与其它溅射技术相比有如下特点：
    1、溅射速率高；
    2、在较低的电压(300一700V)及溅射压力(0.13～1.3kpa)  可获较大的功率密度，溅射效率大大提高，淀积膜的质量较好，晶片受到的辐射损伤轻；
    3、衬底温度较低；
    4、溅射条件容易控制，重复性好；
    5、便于连续生产，生产效率高；
    6、膜的晶粒尺寸容易控制；
    7、可采用直流电源或射频电源：采用射频电源时也可溅射非金属材料，如SiO2等；
    8、为获得高质量的台阶覆盖，磁控溅射也可采用加偏压溅射 。
    磁控溅射可能存在的一些问题：
    1、等离子体辉光放电不正常
    2、铝层颜色不正常，有灰暗浑浊区域
    3、2里面的（晶片）上AL膜台阶覆盖不良
    4、AL膜反光度不好
    5、可焊性差
    6、均匀性不好
    设备：镀膜机(CVC601，BAK640)、台阶仪(Alpha-Step 200)
    蒸发：对淀积薄膜的源材料施加热能或动能，使之分解为原子或原子的集合体，并结合或凝聚在晶片表面，形成薄膜。电子束蒸发是利用高能聚焦电子束打到蒸发源表面，使之熔化并蒸发到晶片表面上，形成薄膜。产生电子束的电子枪分环形枪、直枪(皮尔斯枪)和e型枪(即270度偏转电子枪)等。环形枪功率和效率均很低，直枪的蒸发源会污染枪体，我们目前使用的主要是e型枪电子束蒸发装置。
    蒸发过程必须在真空室内进行，如果真空室内残存大量气体分子，则会产生以下质量问题：（优质的晶片，可以制作成高精度的晶振，以及滤波器系列）
    1、蒸发粒子的直线运动受到残余气体分子的碰撞而形成雾状微粒，难以制备均匀平整的薄膜。
    2、残余空中的活性分子(如氧分子)与金属原子形成化合物。
    3、残余空气分子进入薄膜形成杂质。
    4、蒸发加热器、蒸发源等与残离，在35cm以内。
    5、为使铝膜光亮，打开挡板不可过早，蒸发速率不可过小，充气取片也不可过早，否则铝膜和坩埚内的铝锭会严重氧化。
    6、电子束蒸发工艺的沾污源主要来自系统，对真空室内所有工件的清洗是极为必要的。
    7、膜厚控制。电子束加热蒸发，只要控制好电子束功率，蒸发速率的重复性就相当好，辅以控制蒸发时间，便可获得所需要的膜厚。
    目的：把掩膜版上的器件图形复制到晶片上。
    设备：匀胶机，光刻机，显影机，烘箱，显微镜
    要求：光刻完成后，图形指条清晰，指条边缘整齐、无残缺，断指、连指的面积应小于一定比例 (在总面积的20%以下)。
光刻是声表面滤波器制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其它工艺来获得高成品率。光刻技术的关键材料是光刻胶，它是一种聚合可溶解物，被临时涂在晶片表面，仅是为了必要图形的转移，一旦图形经过刻蚀，就要被去掉。其实压电石英晶体跟压电陶瓷晶振还是有很多的区别，一个是石英晶体片，一个是陶瓷混合片，石英晶体片可以制作成多款元件系列产品。
    压电石英水晶种植成功之后，需要经过切片以及打磨，在经过清洗，要把晶片表面的灰尘清洗干净，以及处理打磨过程中预留的残渣，水晶片是所以石英晶振频率元件中最为关键的一个环节，如果是水晶片本身出现问题，那么将影响到成品的质量。所以压电石英水晶片的要求是：晶片表面光洁明亮、无水迹、无污点，无划伤、无裂痕, 处理后的表面应光亮, 平滑, 显微粗糙度小、缺陷少。首先水晶片要经过清洗机，以及超声波，在甩干，目前我们采用的是酸液清洗再加超声清洗的办法。就好像压电陶瓷雾化片在切割之后也需要经过清洗在经过超声波一样，都是需要保持干净明亮，以最高的要求达到标准。
    然后在晶片上镀膜，这样生产出来的声表面波滤波器才能达到最高的品质。