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更多>>- 规格型号:2313742
- 频率:32MHZ
- 尺寸:2.5*2.0mm
- 产品描述:日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子,Ecliptek晶振,美国进口晶振,石英晶体谐振器,SMD晶体,无源晶体,音叉晶体,型号EA2025,编码EA2025MA10-32.000M-TR是一款金属面贴片型的水晶振动子,尺寸为2520mm,频率32M...
日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子
日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子,Ecliptek晶振,美国进口晶振,石英晶体谐振器,SMD晶体,无源晶体,音叉晶体,型号EA2025,编码EA2025MA10-32.000M-TR是一款金属面贴片型的水晶振动子,尺寸为2520mm,频率32MHZ,精度15ppm,负载10PF,工作温度-40~+85°C,产品具备良好的稳定性能,比较适合智能家居,电子产品等领域.
EA2025MA10-32.000M-TR晶振 参数表
EA2025MA10-16.000M-TR石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子
日蚀晶振规格 | 单位 | EA2025晶振频率范围 | 石英晶振基本条件 |
标准频率 | f_nom | 32MHZ | 标准频率 |
储存温度 | T_stg | -40°C ~ +85°C | 裸存 |
工作温度 | T_use | -40°C ~ +85°C | 标准温度 |
激励功率 | DL | 0.5μW Max. | 推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 | f_— l | ±15 × 10-6 |
+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.dgkjly.com/ |
频率温度特征 | f_tem | ±20× 10-6 | 超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 | CL | 10pF ~ ∞ | 超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) | R1 | 60 Ohms | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
EA2025MA10-32.000M-TR晶振 使用注意事项
存储事项
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
存储事项
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子
安装时注意事项
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的石英晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
(1)柱面式产品和DIP产品
型号 焊接条件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
请勿加热封装材料超过+150°C注意
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD晶振产品回流焊接条件(实例)
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使温度变化曲线保持平滑。日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子
安装时注意事项
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品。在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的石英晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
(1)柱面式产品和DIP产品
型号 焊接条件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-类型,C-2-类型,C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
请勿加热封装材料超过+150°C注意
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD晶振产品回流焊接条件(实例)
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使温度变化曲线保持平滑。日蚀晶振EA2025,EA2025MA10-32.000M-TR水晶振动子
欧美晶振编号 | 供应商 | 系列 | 类型 | 频率 | 频率稳定性 | 频率容差 | 负载电容 |
EB3250AYA08-8.000M TR | Ecliptek | EB3250 | MHz 晶体 | 8 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 8pF |
E1SJA18-6.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 6 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-18.432M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 18.432 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SFA18-4.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 4 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 18pF |
E1SJA18-14.31818M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 14.31818 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-6.144M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 6.144 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-28.63636M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 28.63636 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-13.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 13 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-19.6608M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 19.6608 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-9.8304M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 9.8304 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-32.000M TR | Ecliptek | E1S | - | - | - | - | - |
EA2025MA10-16.000M TR | Ecliptek | EA2025 | MHz 晶体 | 16 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 10pF |
EA2025MA10-32.000M TR | Ecliptek | EA2025 | MHz 晶体 | 32 MHz | ±20ppm | ±15ppm | 10pF |
E1WCDA12-32.768K | Ecliptek | E1WC | kHz 晶体(音叉) | 32.768 kHz | - | ±20ppm | 12.5pF |
E1SJA18-18.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 18 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-20.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 20 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-14.7456M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 14.7456 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SCA18-7.3728M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 7.3728 MHz | ±100ppm | ±50ppm | 18pF |
E1SEA18-16.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 16 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 18pF |
E1SEA18-12.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 12 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 18pF |
E1SJA18-10.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 10 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-12.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 12 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-11.0592M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 11.0592 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 8 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-16.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 16 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-3.579545M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 3.579545 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-4.194304M TR | Ecliptek晶振 | E1S | MHz 晶体 | 4.194304 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-16.9344M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 16.9344 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-5.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 5 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-13.500M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 13.5 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-9.216M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 9.216 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-12.288M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 12.288 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-4.500M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 4.5 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-15.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 15 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-4.433619M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 4.433619 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-16.384M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 16.384 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-6.7458M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 6.7458 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SJA18-15.360M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 15.36 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
E1SDA18-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 25 MHz | ±50ppm | ±30ppm | 18pF |
E1SJA18-4.9152M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶体 | 4.9152 MHz | ±30ppm | ±15ppm | 18pF |
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