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- 规格型号：30344782
- 频率：0.750~250MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 产品描述：IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振,IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO,和先进的时机。IDT为高性能的网络通信应用提供了广泛的解决方案...
IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振
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IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振,IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO®,和先进的时机。IDTde提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM内存接口解决方案,串行RapidIO®,PCI Express®开关和桥梁,信号完整性的产品,世界级的时机、高性能计算、高效电源管理解决方案和基于云计算的企业服务器应用程序。
IDT晶振在德国的全资子公司- IDT欧洲有限公司(前身为ZMD AG)运营其卓越的汽车中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根据iso26262的标准，支持功能性安全要求。了解更多关于IDT的汽车质量。
由于微电子器件的功率耗散，热能的管理很重要，可以从任何电子产品中获得最好的性能。一种微电子设备的工作温度决定了产品的速度和可靠性。IDT积极提高产品和包装，以产生最快、最可靠的设备。然而，由于产品性能往往受到其实现的影响，因此建议仔细考虑影响设备运行温度的因素，以达到最好的效果。专业提供差分晶振,有源晶振等晶振产品.IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振.
| 项目 | 符号 | XLH晶振规格说明 | 条件 |
| 输出频率范围 | f0 | 0.750~250MHZ | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
| 电源电压 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 请联系我们以了解更多相关信息 |
| 储存温度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作温度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.dgkjly.com/ |
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | |
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 |
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | |
| VOL | 0.4 V Max. | ||
| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |
| 输入电压 | VIH | 80% VCC Max. | ST 终端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振,存储事项(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。
正常温度和湿度：
温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
安装时注意事项
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的石英晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。
（1）柱面式产品和DIP产品
型号 焊接条件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
请勿加热封装材料超过+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使温度变化曲线保持平滑。
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