规格型号：15931765
频率：0.750~1350MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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产品描述：IDT晶振,XLL晶振,LVDS输出晶振,IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO,和先进的时机。IDT为高性能的网络通信应用提供了广泛的解决方...

IDT晶振,XLL晶振,LVDS输出晶振,IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO®,和先进的时机。

IDT为高性能的网络通信应用提供了广泛的解决方案。IDT领先的串行RapidIO®,PCI Express®,电源管理,和先进的时机解决方案包括网络同步产品超越竞争,使客户开发最先进的系统。
IDTde提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM内存接口解决方案,串行RapidIO®,PCI Express®开关和桥梁,信号完整性的产品,世界级的时机、高性能计算、高效电源管理解决方案和基于云计算的企业服务器应用程序。
IDT晶振在德国的全资子公司- IDT欧洲有限公司(前身为ZMD AG)运营其卓越的汽车中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根据iso26262的标准，支持功能性安全要求。了解更多关于IDT的汽车质量。
由于微电子器件的功率耗散，热能的管理很重要，可以从任何电子产品中获得最好的性能。一种微电子设备的工作温度决定了产品的速度和可靠性。IDT积极提高产品和包装，以产生最快、最可靠的设备。然而，由于产品性能往往受到其实现的影响，因此建议仔细考虑影响设备运行温度的因素，以达到最好的效果。专业提供差分晶振,有源晶振等晶振产品.IDT晶振,XLL晶振,LVDS输出晶振.

型号	符号	XLL(5032)
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	0.750~1350MHz
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40~+85℃
运行温度范围	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125~1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz]

存储事项
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。
正常温度和湿度：
温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。
(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
安装时注意事项
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用SMD产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的石英晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。
（1）柱面式产品和DIP产品
型号焊接条件
[ 柱面式音叉晶振]
C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@最大值5 s
请勿加热封装材料超过+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
请勿加热封装材料超过+150°C
(2)SMD晶振产品回流焊接条件（实例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
尽可能使温度变化曲线保持平滑。IDT晶振,XLL晶振,LVDS输出晶振.

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