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帝国博客
更多>>- 规格型号:42297126
- 频率:2M-160MHZ
- 尺寸:18.5*11.9mm
- 产品描述:温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆...
富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器
富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器,温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
富士通晶振小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能。
1994年3月
为了扩充石英晶振水晶设备的销售机型,
该公司将与韩国sunny electronics公司、山梨的无线电波股份公司、株山公司签订合同。
1998年4月
为了提高质量,还导入了网络分析仪和其他检查器。
1998年11月
美国transkelectronics。缔结进货销售合同。
2000年7月
台湾yangtec electronics corp。与富士com品牌的销售合同。
2001年1月
“水晶震动”自动检测装置富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器。
2005年8月
SMD晶振传输法水晶振荡器自动检查装置。
2008年6月
韩国将在国内销售kec和kec制的半导体。
为了扩充石英晶振水晶设备的销售机型,
该公司将与韩国sunny electronics公司、山梨的无线电波股份公司、株山公司签订合同。
1998年4月
为了提高质量,还导入了网络分析仪和其他检查器。
1998年11月
美国transkelectronics。缔结进货销售合同。
2000年7月
台湾yangtec electronics corp。与富士com品牌的销售合同。
2001年1月
“水晶震动”自动检测装置富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器。
2005年8月
SMD晶振传输法水晶振荡器自动检查装置。
2008年6月
韩国将在国内销售kec和kec制的半导体。
石英晶振规格 | 单位 | FTC-A-H 18.5*11.9mm 晶振说明 | 进口振荡器基本条件 |
额定频率范围 | f_nom | 2M-160MHZ | 晶振标准频率 |
储存温度 | T_stg | -40°C ~ +85°C | 裸存 |
工作温度 | T_use | -10°C ~ +70°C | 标准温度 |
电源电压 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
频率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息. |
频率温度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C | 超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 | CL | 15pF | 超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
激励功率
在石英晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
贴片晶振负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,有源晶振可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器。
在石英晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
贴片晶振负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,有源晶振可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器。
6.3、压控晶体振荡器原理:
压控晶体振荡器是通过调节(控制脚)电压,低损耗晶振使振荡器输出频率变化的石英晶体振荡器,主要是通过变容二极管(Vd)的电容的变化,使晶体谐振器的振荡频率发生变化富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器。
6.4、SMD VCXO IC 原理图:
SMD VCXO IC内部集成了变容二极管、Cg、Cd、Rf、R1,在制造过程中,只需安装晶片进行微调。在测试过程中,滤波电容0.01 μF(104 pF )应安装在测试治具中.
压控晶体振荡器是通过调节(控制脚)电压,低损耗晶振使振荡器输出频率变化的石英晶体振荡器,主要是通过变容二极管(Vd)的电容的变化,使晶体谐振器的振荡频率发生变化富士通晶振,温补晶振,FTC-A-H晶振,石英晶体振荡器。
6.4、SMD VCXO IC 原理图:
SMD VCXO IC内部集成了变容二极管、Cg、Cd、Rf、R1,在制造过程中,只需安装晶片进行微调。在测试过程中,滤波电容0.01 μF(104 pF )应安装在测试治具中.
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