您好,欢迎光临帝国科技!
产品分类
PRODUCT
PRODUCT
- 国产晶振
- 声表面滤波器
- 石英晶体
- 石英晶振
- 贴片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷滤波器
- 陶瓷雾化片
- 进口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 爱普生晶振
- 西铁城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本进口NDK晶体
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亚陶晶振
- 台湾泰艺晶体
- 台湾鸿星晶体
- 美国CTS晶体
- 微孔雾化片
- 加高晶振
- 希华石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 欧美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康纳温菲尔德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
帝国博客
更多>>- 规格型号:46804414
- 频率:1MHZ~133MHZ
- 尺寸:7.0*5.0mm
- 产品描述:鸿星电子有限公司于1979年成立,产品由专业电阻器、电容器制造厂,公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处.
进口鸿星贴片晶振,HXO-3,HXO-Q3,7050mm振荡器
鸿星电子有限公司于1979年成立,产品由专业电阻器、电容器制造厂,公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处.
进口鸿星贴片晶振,HXO-3,HXO-Q3,7050mm振荡器,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
石英晶振规格 | 单位 | HXO7050晶振说明 | 进口振荡器基本条件 |
额定频率范围 | f_nom | 1MHZ~133MHZ | 晶振标准频率 |
储存温度 | T_stg | -20°C ~ +70°C | 裸存 |
工作温度 | T_use | -10°C ~ +60°C | 标准温度 |
电压电压 | SV | 2.5V | |
频率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息. |
频率温度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C | 超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 | CL | 10pF | 超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
1.解析目的与步骤
a) 实际量测电路板上频率波型与公差.
(Crystal on board test to verify tolerance and waveform)
b) 量测振荡电路负性电阻值 –R .
(Measure the Negative Resistance(-R) of the oscillation circuit)
c) 调整C1 C2电容以得到更大的频率变化宽裕度.
(Modify the C1,C2 to obtain bigger allowance)
d) 根据以上电路板量测数据建议适当振荡子规格.
(Suggest the crystal specification based on above test)
2.分析过程中使用到之设备
量测负性阻抗目的是避免振荡器无法起振,振荡器无法起振的原因是负性阻抗宽裕度不够导致,为避免此现象发生于设计时负性阻抗一般至少是 ESR的三倍以上,反之若太小时则会发生偶尔不起振的现象发生.
输出端串接一个可变电阻,可变电阻调至最小,上电源让电路正常动作,调整可变电阻,将之调大,直至振荡器不起振,确定不起振后,再将可变电阻转小,观测波形,持续将可变电阻调小到振荡器开始振荡波形正常后,关闭电源,再打开电源,若振荡器依旧可以起振,这时候可变电阻上的阻抗值再加上2仪器所测得振荡器单体的电阻值即为负性阻抗值.
深圳市帝国科技有限公司
SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
联系人:谭兰艾 手 机:86-13826527865
电 话:86-0755-27881119 QQ:921977998
E-mail:dgkjly@163.com
网 址:www.dgkjly.com
地 址:中国广东省深圳市宝安区西乡大道新湖路