您好,欢迎光临帝国科技!
帝国博客
更多>>石英振荡器的晶振水晶设计笔记
来源:http://www.dgkjly.com 作者:帝国晶振 2019年08月03
通常一个品牌都会有自己的独特的设计方案!不光是外观还是里面的核心都有着自己的创新来完成产品的完整性!我们也要开放的开发产品让所有的产品都是可以达到性能完美重要性!以下是石英晶体晶振水晶的设计详解供想了解的阅读者可以好好的知道产品的每个环节的重要性和他的功能体现!
串联和并联
“串联”谐振晶体用于电路中 在振荡器中没有反应性成分反馈循环.“平行”共振晶体是有意的 用于含有反应元件的电路中(通常是电容)在振荡器反馈回路.
这样的电路依赖于电抗的组组件和晶体完成相移必须启动并保持指定的振荡频率.对这两种电路的基本描述是所示.
图5
负载电容
这是指晶振晶体外部的电容,包含在振荡器的反馈回路中电路.如果应用程序需要“并行”谐振晶体,负载电容的值必须指定.
如果应用程序需要一个“串联”谐振晶体,负载电容不是一个因素,不需要指定.
负载电容是测量电容的量或通过PCB上的晶体终端计算.
频率公差
频率公差是指允许的偏差从标称的百万分之几(PPM),到具体的温度,通常+ 25°C.
频率稳定度
频率稳定是指允许偏差,为超过规定温度的百万分之一的范围内.偏差与测量频率有关在+ 25°C.
老化
老化是指频率的累积变化随着时间的推移由水晶单位经验.影响因素老化是驱动水平过高,各种热效应,电线疲劳和摩擦磨损.电路设计采用低操作环境和最低限度驱动水平会降低老化率.
Pullability
可拉性是指贴片晶振晶体频率的变化单位,从固有谐振频率(Fr)到a负载谐振频率(FL),或从一个负谐振到另一个频率.
参见图6.的数量一个给定的晶体单位在一个给定的位置所表现出的可拉性负载电容值是分流器的函数的电容(Co)和运动电容(C1)晶体单元.
图6
等效电路
图7所示的等效电路是一个电路在a点操作时石英晶体振荡器石英晶体单元的描述自然共振频率.Co或分流器电容,表示晶体的电容电极加上支架和引线的电容.R1、C1和L1构成了晶体的“运动臂”称为运动参数.的运动电感(L1)表示振动质量晶体单元的.运动电容(C1)表示石英的弹性和电阻(R1)表示石英内部发生的体积损失.
图7
阻抗/电抗曲线如图所示,晶体有两个零相位的频率
在图8所示.
第一个,或者更低的两个,是级数谐振频率,记为(fs).此时,电路中出现晶体电阻,阻抗为a最小电流最大.随着频率增加到级数点以外共振时,晶体在电路中出现感应.当反应的动电感和并联电容抵消后,晶体处于该频率抗共振的,记为(fa).在这一点上,阻抗最大,电流最小.
石英晶体
图8
品质因数(Q)晶体单位的“Q”值是单位的度量振荡的相对质量或效率.的晶体单元的最大达稳定性为取决于“Q”值.在上面的图8中串联和并联频率的分离是所谓的带宽.带宽越小Q值越高,则其斜率越陡电抗.外部电路电抗的变化组件对高气压的影响较小(“可拉性”较小)“Q”晶体,因此这样的部分更稳定.负载电容计算如果电路配置如图5所示并联版,负载电容可为由下式计算:Cstray包括引脚到引脚的输入和输出微处理器芯片在进口晶振晶体上的电容和晶体2个引脚,加上任何寄生电容.作为一个根据经验,可以假设Cstray等于5.0 pF.因此,如果CL1 = CL2 = 50pF, CL = 30pF.修剪的敏感性修剪灵敏度是增量分数的一种度量频率变化值的增量变化的负载电容.微调灵敏度(S)表示用PPM/pF表示,计算方法如下方程:
(Ct)
看完水晶的笔记是不是让我们会更进一步的了解了产品的完整和完美是需要多少重要的环节去注意的,看完也学到了不同步骤的参数详解书面的知识,让我们多不同品牌的产品有了一点点的了解.
串联和并联
“串联”谐振晶体用于电路中 在振荡器中没有反应性成分反馈循环.“平行”共振晶体是有意的 用于含有反应元件的电路中(通常是电容)在振荡器反馈回路.
这样的电路依赖于电抗的组组件和晶体完成相移必须启动并保持指定的振荡频率.对这两种电路的基本描述是所示.
图5
负载电容
这是指晶振晶体外部的电容,包含在振荡器的反馈回路中电路.如果应用程序需要“并行”谐振晶体,负载电容的值必须指定.
如果应用程序需要一个“串联”谐振晶体,负载电容不是一个因素,不需要指定.
负载电容是测量电容的量或通过PCB上的晶体终端计算.
频率公差
频率公差是指允许的偏差从标称的百万分之几(PPM),到具体的温度,通常+ 25°C.
频率稳定度
频率稳定是指允许偏差,为超过规定温度的百万分之一的范围内.偏差与测量频率有关在+ 25°C.
老化
老化是指频率的累积变化随着时间的推移由水晶单位经验.影响因素老化是驱动水平过高,各种热效应,电线疲劳和摩擦磨损.电路设计采用低操作环境和最低限度驱动水平会降低老化率.
Pullability
可拉性是指贴片晶振晶体频率的变化单位,从固有谐振频率(Fr)到a负载谐振频率(FL),或从一个负谐振到另一个频率.
参见图6.的数量一个给定的晶体单位在一个给定的位置所表现出的可拉性负载电容值是分流器的函数的电容(Co)和运动电容(C1)晶体单元.
图6
等效电路
图7所示的等效电路是一个电路在a点操作时石英晶体振荡器石英晶体单元的描述自然共振频率.Co或分流器电容,表示晶体的电容电极加上支架和引线的电容.R1、C1和L1构成了晶体的“运动臂”称为运动参数.的运动电感(L1)表示振动质量晶体单元的.运动电容(C1)表示石英的弹性和电阻(R1)表示石英内部发生的体积损失.
图7
阻抗/电抗曲线如图所示,晶体有两个零相位的频率
在图8所示.
第一个,或者更低的两个,是级数谐振频率,记为(fs).此时,电路中出现晶体电阻,阻抗为a最小电流最大.随着频率增加到级数点以外共振时,晶体在电路中出现感应.当反应的动电感和并联电容抵消后,晶体处于该频率抗共振的,记为(fa).在这一点上,阻抗最大,电流最小.
石英晶体
图8
品质因数(Q)晶体单位的“Q”值是单位的度量振荡的相对质量或效率.的晶体单元的最大达稳定性为取决于“Q”值.在上面的图8中串联和并联频率的分离是所谓的带宽.带宽越小Q值越高,则其斜率越陡电抗.外部电路电抗的变化组件对高气压的影响较小(“可拉性”较小)“Q”晶体,因此这样的部分更稳定.负载电容计算如果电路配置如图5所示并联版,负载电容可为由下式计算:Cstray包括引脚到引脚的输入和输出微处理器芯片在进口晶振晶体上的电容和晶体2个引脚,加上任何寄生电容.作为一个根据经验,可以假设Cstray等于5.0 pF.因此,如果CL1 = CL2 = 50pF, CL = 30pF.修剪的敏感性修剪灵敏度是增量分数的一种度量频率变化值的增量变化的负载电容.微调灵敏度(S)表示用PPM/pF表示,计算方法如下方程:
(Ct)
看完水晶的笔记是不是让我们会更进一步的了解了产品的完整和完美是需要多少重要的环节去注意的,看完也学到了不同步骤的参数详解书面的知识,让我们多不同品牌的产品有了一点点的了解.
正在载入评论数据...
相关资讯
- [2024-03-18]Raltron产品和技术应用说明CO13050-32.000-T-TR
- [2024-03-13]Bliley恒温晶振BOVTE-50MDA-DCCB的保质期有多长?
- [2024-03-05]Renesas推出RA8T1系列低功耗MCU
- [2024-03-04]Vishay推出VEMD2704具有提高了可见光灵敏度
- [2024-03-02]微小但强大的2.0面向下一代消费者的产品
- [2024-03-02]Ecliptek的快速旋转可编程振荡器
- [2023-09-28]领先全球的Crystek晶振公司关于石英晶体振荡器选择指南
- [2023-09-26]希华晶振是台湾唯一具有从人工水晶生产到晶体元件封装能力的企业遥遥领先于同行