艾博康晶振拥有多种电极优化解决方案

  在性能稳定的贴片晶振不断涌现的今天,逆变器放大器的出现,使得晶振本身的性能有着不断发展的空间,同样重要的是要指出，逆变器放大器的gm通常在器件与晶圆之间具有±5％至>±15％的扩展。因此，晶体谐振器设计必须适应现实世界的容差效应。Abracon在开发分别为2.0x1.2x0.6mm和3.2x1.5x0.9mm的ABS06W和ABS07W系列弯脚音叉晶体时考虑了上述特定变量。
为了获得最佳的在线性能，Abracon对电极图案进行了优化，以降低C0的整体影响，使得最大保证（电极+封装）电容在2.0x1.2x0.6mm封装中为2.0pF，并且业界领先于1.30pF采用3215晶振封装。
  凭借革命性的空白设计和加工技术，Abracon能够在-40°C至+125°C的扩展工作温度范围内显着降低这些解决方案的ESR;同时将电镀负荷降至行业领先3.0pF。Abracon采用独特的生产调整技术，在室温下收紧设定公差和ESR分布。
图6A至6D描绘了Abracon最小化这些解决方案的ESR值的能力;同时将电镀负载降低到行业领先3.0pF。应该注意的是，大多数消费市场/物联网终端解决方案的工作温度范围为-20°C至+70°C。在这个较窄的工作范围内，石英晶体谐振器具有极低的ESR值;利用当今的节能硅片进一步提高内部增益。   Abracon已采取措施确保在-40°C至+125°C的整个工作范围内实现最佳的ESR性能，并且是唯一能够在更宽的工作温度范围内保证ESR性能值的OEM。Abracon还认识到需要采用这些设计，工艺和生产技术，并成功实施这些技术，以提供MHz范围内广泛的物联网优化压电石英晶体。由于一个软件包无法满足所有端到端形式因素的需求，因此Abracon开发了以下解决方案，以满足全面的市场需求：   Abracon晶振能够以业界领先的4.0pF电镀电容制造这些解决方案，同时将ESR保持在最低可能值，确保这些解决方案不仅能够与当今的22nm或14nmFinFET技术良好匹配，更重要的是，这些解决方案经过优化，可确保最佳性能下一代解决方案包括5nm节点在不久的将来。图8A至8D中的数据概述了Abracon的MHz，IoT优化石英晶体在4.0pF负载下的优异性能：   Abracon的能力：
•保证（电极+封装电容）“C0”最大2.0pF
•精确镀覆QuartzBlanks@4.0pF电镀负载，小至1.6x1.2x0.4mm封装
•同时降低晶体的ESR共同代表了商品价格优化石英晶体性能的范式转变。
这种能力使闭环增益裕度（GM）显着增强，具有现有的22nm或14nm节点，并确保了下一代10nm，7nm甚至5nmFinFET硅的稳健性能。下面比较在4.0pF和10.0pF下镀有C0=2pF的晶体之间的比较清楚地概述了这个优点。