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低损耗的爱普生SPXO振荡器X1G005601036800

来源:http://www.dgkjly.com 作者:lzf 2022年09月01
低损耗的爱普生SPXO振荡器X1G005601036800,爱普生公司作为日系知名晶振品牌制造商,通过自身的努力,开发出许多优质的振荡器,其中包含这款SG-8018系列是可编程晶体振荡器系列CMOS输出。SPXO振荡器,编码X1G005601036800,这个系列提供了频率和其他参数的可编程性SG-8002/SG-8003系列,它们也具有更广泛的工作温度范围,最高极限为105°C。除了2.5 × 2.0 mm的封装,将使电子制造商节省板空间,该振荡器也将在以下流行的封装尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振荡器的频率容忍度约为66%比同类产品低50%的电流消耗,适用范围广环境条件。这也将大大有助于性能,更低的功率要求,快速开发周期和低量生产。
低损耗的爱普生SPXO振荡器X1G005601036800,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
Product Number 爱普生晶振型号 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol. I [Max]
X1G005601035000 SG-8018CG 24.519000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035100 SG-8018CG 32.674000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035200 SG-8018CG 25.629200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035300 SG-8018CG 54.229000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005601035400 SG-8018CG 22.989500 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601035500 SG-8018CG 66.666600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005601035600 SG-8018CG 74.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005601035700 SG-8018CG 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005601035900 SG-8018CG 28.636300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036000 SG-8018CG 29.491200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036100 SG-8018CG 39.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036200 SG-8018CG 27.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036300 SG-8018CG 11.289000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005601036400 SG-8018CG 24.519000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036500 SG-8018CG 32.674000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036600 SG-8018CG 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 8.1 mA
X1G005601036700 SG-8018CG 36.700000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036800 SG-8018CG 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005601036900 SG-8018CG 7.690000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005601037000 SG-8018CG 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
石英晶振荡器体是一种各向异性晶体。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相应表面上涂有银。 安装一对金属块作为极板,构成石英晶体振荡器。 石英晶体可用作振荡电路的原因在于其压电效应。 当在晶片外部的两个板之间添加电场时,晶体将产生机械变形; 相反,当在板之间施加机械力时,将在晶体中产生电场。 这种现象称为压电效应。

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