低损耗的爱普生SPXO振荡器X1G005601036800，爱普生公司作为日系知名晶振品牌制造商,通过自身的努力，开发出许多优质的振荡器，其中包含这款SG-8018系列是可编程晶体振荡器系列CMOS输出。SPXO振荡器，编码X1G005601036800，这个系列提供了频率和其他参数的可编程性SG-8002/SG-8003系列，它们也具有更广泛的工作温度范围，最高极限为105°C。除了2.5 × 2.0 mm的封装，将使电子制造商节省板空间，该振荡器也将在以下流行的封装尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振荡器的频率容忍度约为66%比同类产品低50%的电流消耗，适用范围广环境条件。这也将大大有助于性能，更低的功率要求，快速开发周期和低量生产。

低损耗的爱普生SPXO振荡器X1G005601036800，有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

Product Number	爱普生晶振型号	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005601035000	SG-8018CG	24.519000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601035100	SG-8018CG	32.674000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601035200	SG-8018CG	25.629200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601035300	SG-8018CG	54.229000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005601035400	SG-8018CG	22.989500 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601035500	SG-8018CG	66.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005601035600	SG-8018CG	74.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005601035700	SG-8018CG	3.686400 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005601035900	SG-8018CG	28.636300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036000	SG-8018CG	29.491200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036100	SG-8018CG	39.800000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036200	SG-8018CG	27.800000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036300	SG-8018CG	11.289000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005601036400	SG-8018CG	24.519000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036500	SG-8018CG	32.674000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036600	SG-8018CG	150.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005601036700	SG-8018CG	36.700000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036800	SG-8018CG	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005601036900	SG-8018CG	7.690000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005601037000	SG-8018CG	1.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

石英晶振荡器体是一种各向异性晶体。它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相应表面上涂有银。安装一对金属块作为极板，构成石英晶体振荡器。石英晶体可用作振荡电路的原因在于其压电效应。当在晶片外部的两个板之间添加电场时，晶体将产生机械变形; 相反，当在板之间施加机械力时，将在晶体中产生电场。这种现象称为压电效应。

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